2N7002T-7-F

Фото 1/4 2N7002T-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 73 шт.
Добавить в корзину 73 шт. на сумму 365 руб.
Номенклатурный номер: 8024099920
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.115
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) 0.115
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 7500@5V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 10
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) 20
Maximum Power Dissipation (mW) 150
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) 0.15
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) 0.8
Minimum Gate Threshold Voltage (V) 1
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-523
Supplier Temperature Grade Commercial
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 22@25V
Typical Output Capacitance (pF) 11
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 2@25V
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 11
Typical Turn-On Delay Time (ns) 7
Maximum Continuous Drain Current 115 mA
Maximum Drain Source Resistance 13.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 150 mW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-523(SC-89)
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Width 0.85mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 395 КБ
Datasheet
pdf, 83 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов