2SARA41CHZGT116, Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 50 мА, 200 мВт, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2875 шт., срок 7-9 недель
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
58 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 2 750 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 120В |
Continuous Collector Current | 50мА |
DC Current Gain hFE Min | 180hFE |
DC Усиление Тока hFE | 180hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 140МГц |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet 2SARA41CHZGT116
pdf, 1489 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары