2SB1188T100Q, 1uA 32V 2W 120@500mA,3V 2A 100MHz 500mV@2A,200mA PNP +150-@(Tj) MPT3 Bipolar Transistors - BJT
7 шт., срок 7 недель
73 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 73 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
32V 2W 120@500mA,3V 2A PNP TO-243AA Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 32V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@2A, 200mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Ширина | 2.5 mm |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 173 КБ
Datasheet 2SB1188T100Q
pdf, 171 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
