2SB1386T100R, TRANSISTOR, PNP, 20V, SC-62
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1275 шт., срок 8-10 недель
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
от 100 шт. —
109 руб.
Добавить в корзину 16 шт.
на сумму 2 720 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
20V 2W 180@500mA,2V 5A PNP SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| Continuous Collector Current | 4А |
| DC Current Gain hFE Min | 82hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 120МГц |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 20V |
| Maximum DC Collector Current | 5A |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Transistor Type | PNP |
| кол-во в упаковке | 1 |
| Collector Current (Ic) | 5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 350mV@4A, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@500mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 350 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -5 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 82 |
| DC Current Gain hFE Max: | 390 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 120 MHz |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 107 КБ
Datasheet
pdf, 117 КБ
Datasheet 2SB1386T100Q
pdf, 113 КБ
Световые индикаторы Daier
pdf, 1153 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
