2SC5662T2LP, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7760 шт., срок 7 недель
55 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
32 руб.
от 150 шт. —
28 руб.
от 500 шт. —
24.29 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 275 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 11V 50MA
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.5 mm |
| Длина | 1.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 11 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3.2 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | 2SC5662 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | VMT-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 11 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 50 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 56 |
| DC Current Gain HFE Max | 180 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 3 V |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 3.2 GHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.05 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VMT-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | 2SC5662 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1159 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
