2SD1624S-TD-E, BIP NPN 3A

PartNumber: 2SD1624S-TD-E
Ном. номер: 8004978674
Производитель: ON Semiconductor
2SD1624S-TD-E, BIP NPN 3A
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
28 × = 700
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 50 шт. — 20 руб.
от 250 шт. — 15.96 руб.

Описание

General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
2SD1624S-TD-E, BIP NPN 3A 50V

Технические параметры

Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Максимальное напряжение коллектор-база
60 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.5 W
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
Контакт
Число контактов
3
Ширина
2.5mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.2 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Тип транзистора
NPN
Высота
1.5mm
Длина
4.5mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

2SB1124 / 2SD1624, Bipolar Transistor (-)50V ...