2SD2351T106W, Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14099 шт., срок 6-8 недель
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 34 000 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 150MA
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 2700 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SD2351 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1266 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
