2SK3658(TE12L,F), MOSFET N-Channel 60V 2A S

PartNumber: 2SK3658(TE12L,F)
Ном. номер: 8072010379
Производитель: Toshiba
2SK3658(TE12L,F), MOSFET N-Channel 60V 2A S
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
78 × = 780
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 54 руб.

Описание

N-Channel MOSFETs 2A to 2.4A

MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Toshiba 2SK3658(TE12L,F) N-channel MOSFET Transistor, 2 A, 60 V, 4-pin PW Mini

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
4.6 x 2.5 x 1.6mm
высота
1.6mm
длина
4.6mm
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Resistance
0.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
PW Mini
Pin Count
4
Typical Gate Charge @ Vgs
5 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
140 pF@ 10 V
ширина
2.5mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

2SK3658 TOSHIBA Field Effect Transistor ...