2STD1665T4, Bipolar Transistors - BJT 150V Vcbo 65V Vceo 6A NPN Low Voltage

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

15349 шт., срок 7-9 недель

280 руб.

от 10 шт. — 230 руб.

от 100 шт. — 155 руб.

от 500 шт. — 116.86 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004824859

Артикул: 2STD1665T4

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Описание Транзистор NPN, биполярный, 65 В, 15 Вт, 6 А TO-252 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	15000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	2.4 mm (Max)
Длина	6.6 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	150
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	20 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	230 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2STD1665
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	DPAK-3
Ширина	6.2 mm (Max)
Вес, г	0.2604