6MBI50VA-060-50, IGBT Module V Series, 6-p

PartNumber: 6MBI50VA-060-50
Ном. номер: 8070638565
Производитель: Fuji Electric
6MBI50VA-060-50, IGBT Module V Series, 6-p
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
5 670 × = 5 670
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 5 110 руб.

Описание

IGBT Modules 6-Pack, Fuji Electric

Maximum collector current (Ic) values are stated per transistor within the module.

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT модули /
Fuji 6MBI50VA-060-50, M636 3 Phase Bridge IGBT Module, 50 A max, 600 V, Through Hole

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
3 Phase
Размеры
107.5 x 45 x 17мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Тип корпуса
M636
Число контактов
28
Ширина
45mm
Новинки
только новые товары
Высота
17mm
Длина
107.5mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet