7MBR35VB-120-50, IGBT Module V Series, 7-p

PartNumber: 7MBR35VB-120-50
Ном. номер: 8061735145
Производитель: Fuji Electric
7MBR35VB-120-50, IGBT Module V Series, 7-p
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
8 080 × = 8 080
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 7 360 руб.
от 5 шт. — 6 988 руб.

Описание

IGBT Modules 7-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT модули /
Fuji 7MBR35VB-120-50, M712 3 Phase Bridge IGBT Module, 35 A max, 1200 V, Through Hole

Технические параметры

Максимальный непрерывный ток коллектора
35 A
Число контактов
24
Конфигурация
3 Phase Bridge
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20
Тип канала
N
Тип монтажа
Through Hole
Размеры
122 x 62 x 17
Длина
122mm
Тип корпуса
M712
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
17mm
Максимальное рассеяние мощности
210 W
Ширина
62mm
Новинки
только новые товары

Дополнительная информация

Datasheet