Добавить к сравнению Сравнить ()

93LC46-B/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]

Артикул: 93LC46-B/SN
Ном. номер: 168112796
Производитель: Microchip
Фото 1/2 93LC46-B/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
Фото 2/2 93LC46-B/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
Есть в наличии 69 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
23 × = 23
от 100 шт. — 15 руб.
от 1000 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The 93LC46B/SN is a 1kB MICROWIRE compatible serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) with word-selectable devices such as the 93AA46C, 93LC46C or 93C46C are dependent upon external logic levels driving the ORG pin to set word size. The 93C46B device provides dedicated 16-bit communication. Advanced CMOS technology makes this device ideal for low-power, nonvolatile memory applications.

• Low-power CMOS technology
• Self-timed erase/write cycles
• Automatic erase all (ERAL) before write all (WRAL)
• Power ON/OFF data protection circuitry
• Industry standard 3-wire serial I/O
• Device status signal
• Sequential read function
• 1000000 Erase/write cycles
• Data retention >200 years

Технические параметры

Тип организации памяти
Напряжение питания, В
Время доступа, нс
Число циклов записи
10e6
Температурный диапазон, C
-40…85
Тип корпуса

Техническая документация

93С46
pdf, 398 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 93LC46-B/SN
Типы корпусов импортных микросхем