AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]
![AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 090 руб.
от 15 шт. —
2 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 090 руб.
Описание
RF Power Transistor, 0.136 to 0.941 GHz, 16 W, 17.2 dB, 12.5 V, PLD-1.5W, LDMOS
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Крутизна характеристики, S | 4.4 | |
| Корпус | PLD-1.5W | |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Документация
pdf, 855 КБ
Datasheet AFT09MS015N
pdf, 799 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
