Добавить к сравнению Сравнить ()

AUIRF3305, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 140А [TO-220AB]

Артикул: AUIRF3305
Ном. номер: 9020005530
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 AUIRF3305, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 140А [TO-220AB]
Фото 2/3 AUIRF3305, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 140А [TO-220AB]Фото 3/3 AUIRF3305, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 140А [TO-220AB]
Есть в наличии более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
170 × = 170
от 20 шт. — 140 руб.
от 40 шт. — 92 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

Automotive N-Channel Power MOSFET, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус
Особенности
автомобильные приложения

Техническая документация

AUIRF3305 datasheet
pdf, 269 КБ

Дополнительная информация

AUIRF3305, HEXFET Power MOSFET AUIRF3305
Datasheet AUIRF3305
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов