AUIRFB8405, MOSFET N-Ch 40V 185A Auto

PartNumber: AUIRFB8405
Ном. номер: 8002169054
Производитель: International Rectifier
AUIRFB8405, MOSFET N-Ch 40V 185A Auto
Доступно на заказ 15 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
170 × = 850
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

COOLiRFET™ Power MOSFET, International Rectifier
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon AUIRFB8405 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 185 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 3.43 x 9.02
Максимальный непрерывный ток стока
120 А, 185 А
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0025 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
163 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220AB
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
107 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
5193 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
55 нс
Типичное время задержки включения
14 ns
Ширина
3.43mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Высота
9.02mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

AUIRFB8405 HEXFET Power MOSFET Automotive ...