AUIRFR5305TR, Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -31А [D-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 50 шт. —
347 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
The Infineon MOSFET specifically designed for Automotive applications, this Cellular Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.065 Ом/16А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 | |
Крутизна характеристики, S | 8 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Особенности | автомобильные приложения | |
Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 516 КБ
Datasheet
pdf, 522 КБ
Datasheet AUIRFR5305
pdf, 528 КБ
Datasheet AUIRFR5305
pdf, 300 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают