AUIRFS3307Z, Transistor MOSFET N-ch 75

PartNumber: AUIRFS3307Z
Ном. номер: 8057971603
Производитель: International Rectifier
AUIRFS3307Z, Transistor MOSFET N-ch 75
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
320 × = 320
от 25 шт. — 150 руб.
от 100 шт. — 121 руб.

Описание

Automotive N-Channel Power MOSFET, International Rectifier
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon AUIRFS3307Z N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 128 A, 75 V, 3-Pin D2PAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Максимальный непрерывный ток стока
120 А, 128 А
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0058 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
230 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
79 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
4750 пФ при 50 В
Типичное время задержки выключения
38 ns
Типичное время задержки включения
15 ns
Ширина
9.65mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
4.83mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

AUIRFS(L)3307Z HEXFET Power MOSFET Data Sheet