AUIRFU8403, MOSFET N-Ch 40V 127A Auto

PartNumber: AUIRFU8403
Ном. номер: 8030681244
Производитель: International Rectifier
AUIRFU8403, MOSFET N-Ch 40V 127A Auto
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
120 × = 600
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 76 руб.
от 50 шт. — 69 руб.

Описание

COOLiRFET™ Power MOSFET, International Rectifier
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon AUIRFU8403 N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 127 A, 40 V, 3-Pin IPAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 2.39 x 6.22мм
Максимальный непрерывный ток стока
100 А, 127 А
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0031 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
99 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
IPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
66 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3171 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
31 ns
Типичное время задержки включения
10 ns
Ширина
2.39mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Высота
6.22mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

AUIRFR8403 AUIRFU8403 HEXFET Power MOSFET ...