AUIRGP35B60PD, Transistor IGBT N-Ch 600V

PartNumber: AUIRGP35B60PD
Ном. номер: 8060211355
Производитель: International Rectifier
AUIRGP35B60PD, Transistor IGBT N-Ch 600V
Доступно на заказ более 4 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
1 030 × = 1 030

Описание

Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon AUIRGP35B60PD, 60 A 600 V, 150kHz, 3-Pin TO-247AC

Технические параметры

Ширина
5.31mm
Максимальное рассеяние мощности
308 Вт
Максимальный непрерывный ток коллектора
60 A
Число контактов
3
Скорость переключения
150kHz
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20
Тип канала
N
Тип монтажа
Through Hole
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7
Длина
15.87mm
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.7mm

Дополнительная информация

AUIRGP35B60PD, WARP2 Series IGBT with ...