AUIRLR024N, MOSFET N-Channel 55V 17A

PartNumber: AUIRLR024N
Ном. номер: 8068724151
Производитель: International Rectifier
AUIRLR024N, MOSFET N-Channel 55V 17A
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 550
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

Automotive N-Channel Power MOSFET, International Rectifier
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon AUIRLR024N N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 55 V, 3-Pin DPAK

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Двойной дренаж
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.11 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
55 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±16 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
45 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 5 В
Типичная входная емкость при Vds
480 pF @ 25 V
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки включения
7.1 ns
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
2.39mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

AUIRLR024N, AUIRLU024N, HEXFET Power MOSFET