BC847BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А

Фото 1/3 BC847BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 66 шт.
от 333 шт.6 руб.
от 666 шт.4.40 руб.
от 1331 шт.3.70 руб.
Добавить в корзину 66 шт. на сумму 462 руб.
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8143460805
Артикул: BC847BWT1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А

Технические параметры

Корпус sot-323
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.6@5mA@100mA|0.25@0.5mA@10mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name SOT-323
Pin Count 3
Supplier Package SC-70
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.85
Package Length 2.1
Package Width 1.24
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Continuous Collector Current 0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 150
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 100 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SC-70-3
Pd - Power Dissipation 150 mW
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series BC847BW
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 110 КБ
Datasheet BC847BWT1G
pdf, 183 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов