Добавить к сравнению Сравнить ()

BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]

Артикул: BC857BLT1G
Ном. номер: 15040
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]
Фото 2/3 BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]Фото 3/3 BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
2 × = 2
от 100 шт. — 1 руб.
от 3000 шт. — 0.78 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах Есть аналоги

Описание

The BC857BLT1G is a -45V PNP silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.

• Halogen-free/BFR-free
• -50V Collector to base voltage (VCBO)
• -5V Emitter to base voltage (VEBO)
• -200mADC Peak collector current
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

BC856-860
pdf, 62 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC857BLT1G
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов