BC857CDW1T1G, SS SC88 GP

PartNumber: BC857CDW1T1G
Ном. номер: 8057967089
Производитель: ON Semiconductor
BC857CDW1T1G, SS SC88 GP
Доступно на заказ более 700 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
7 × = 1 400
Количество товаров должно быть кратно 200 шт.
от 400 шт. — 6.20 руб.
от 800 шт. — 5.53 руб.

Описание

General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
ON Semi BC857CDW1T1G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 6-Pin SOT-363

Технические параметры

Размеры
2.2 x 1.35 x 1.10мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 V
Максимальный пост. ток коллектора
0.1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
380 mW
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-363
Число контактов
6
Ширина
1.35mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0.9 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.65 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
270
Тип транзистора
PNP
Высота
1.1mm
Длина
2.2mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BC856BDW1T1G, SBC856BDW1T1G Series, BC857BDW1T1G, SBC857BDW1T1G Series, BC858CDW1T1G Series, Dual General Purpose Transistors (PNP Duals) Da BC857CDW1T1G
BC856BDW1T1G, SBC856BDW1T1G Series ...