BC857CDW1T1G, SS SC88 GP

PartNumber: BC857CDW1T1G
Ном. номер: 8057967089
Производитель: ON Semiconductor
BC857CDW1T1G, SS SC88 GP
Доступно на заказ более 700 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
7 × = 1 400
Количество товаров должно быть кратно 200 шт.
от 400 шт. — 6.10 руб.
от 800 шт. — 5.58 руб.

Описание

General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
ON Semi BC857CDW1T1G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 6-Pin SOT-363

Технические параметры

Размеры
2.2 x 1.35 x 1.10мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 V
Максимальный пост. ток коллектора
0.1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
380 mW
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-363
Число контактов
6
Ширина
1.35mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0.9 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.65 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
270
Тип транзистора
PNP
Высота
1.1mm
Длина
2.2mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BC856BDW1T1G, SBC856BDW1T1G Series ...