BCV 62B E6327, Transistor BJT PNP Dual 3

PartNumber: BCV 62B E6327
Ном. номер: 8060370842
Производитель: Infineon Technologies
BCV 62B E6327, Transistor BJT PNP Dual 3
Доступно на заказ более 600 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
8 × = 960
Количество товаров должно быть кратно 120 шт.
от 240 шт. — 6 руб.
от 1200 шт. — 4.60 руб.

Описание

Current Mirror Transistors, Infineon
Matched dual NPN and PNP transistors with a common base connection for use as current mirror pairs.

Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
Infineon BCV 62B E6327 Dual PNP Current Mirror Transistor, 0.1 A, 30 V, 4-Pin SOT-143

Технические параметры

Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Максимальное напряжение коллектор-база
30 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Максимальный пост. ток коллектора
0.1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SOT-143
Число контактов
4
Ширина
1.3mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
850 мВ
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-650 мВ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Тип транзистора
PNP
Материал транзистора
Кремний
Высота
1mm
Длина
2.9mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BCV62, PNP Silicon Double Transistor