BCW66GLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 330 мВт, 800 мА, 60 hFE

PartNumber: BCW66GLT1G
Ном. номер: 8074177095
Производитель: ON Semiconductor
BCW66GLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В ...
Доступно на заказ 7780 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
5 × = 50
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 150 шт. — 4.60 руб.
от 300 шт. — 4.40 руб.

Описание

The BCW66GLT1G is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AECQ101 qualified and PPAP capable

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 2317524

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Частота Перехода ft
100МГц
Рассеиваемая Мощность
330мВт
DC Ток Коллектора
800мА
DC Усиление Тока hFE
60hFE
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet BCW66GLT1G