Добавить к сравнению Сравнить ()

BD139, Транзистор NPN низкочастотный, большой мощности (КТ815Г) [TO-126]

Артикул: BD139
Ном. номер: 466256348
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 BD139, Транзистор NPN низкочастотный, большой мощности (КТ815Г) [TO-126]
Фото 2/3 BD139, Транзистор NPN низкочастотный, большой мощности (КТ815Г) [TO-126]Фото 3/3 BD139, Транзистор NPN низкочастотный, большой мощности (КТ815Г) [TO-126]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
8 × = 8
от 100 шт. — 7 руб.
от 1000 шт. — 6.80 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BD139 from STMicroelectronics is a through hole NPN complementary low voltage transistor in TO-126 (SOT-32) package. This device manufactured in epitaxial planar technology. Used for audio amplifiers and drivers, utilizing complementary or quasi complementary circuits.

• Collector to emitter voltage (Vce) is 80V
• Collector current (Ic) is 1.5A
• Power dissipation (Pd) is 12.5W
• Collector to emitter saturation voltage of 500mV at 0.5A collector current
• DC current gain (hFE) of 25 at 0.5A collector current
• Operating junction temperature range from 150°C

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet BD139
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов