BD239C, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 Вт, 2 А, 40 hFE

PartNumber: BD239C
Ном. номер: 8054261637
Производитель: ST Microelectronics
BD239C, Биполярный транзистор, NPN, 100 В ...
Доступно на заказ 54 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
42 × = 42
от 25 шт. — 35 руб.

Описание

The BD239C is a 100V Silicon NPN Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

• Well-controlled hFE parameter for increased reliability
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 9801545

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Рассеиваемая Мощность
2Вт
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
40hFE
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet BD239C