BD242BG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
от 5 шт. —
210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 3 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 3 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 40 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | BD242B |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 257 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов