BDV64BG, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 125 Вт, -10 А, 1000 hFE

PartNumber: BDV64BG
Ном. номер: 8080474404
Производитель: ON Semiconductor
BDV64BG, Биполярный транзистор, дарлингтона ...
Доступно на заказ 359 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
170 × = 170
от 25 шт. — 128 руб.
от 100 шт. — 103 руб.

Описание

The BDV64BG is a -100V Silicon PNP Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

• High DC current gain
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 9555943

Технические параметры

Полярность Транзистора
PNP
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-100В
Рассеиваемая Мощность
125Вт
DC Ток Коллектора
-10А
DC Усиление Тока hFE
1000hFE
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-93
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet BDV64BG