Добавить к сравнению Сравнить ()

BDX53C, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор

Артикул: BDX53C
Ном. номер: 48296
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 BDX53C, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор
Фото 2/3 BDX53C, Составной (Дарлингтон) NPN транзисторФото 3/3 BDX53C, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
17 × = 17
от 100 шт. — 15 руб.
от 1000 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BDX53C from STMicroelectronics is a through hole complementary power darlington transistor in TO-220 package. This device manufactured in planar base island technology with monolithic darlington configuration. This transistor features good DC gain and high fT frequency. BDX53C is typically suited for linear, switching industrial equipment and audio amplification.

• Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
• Collector current (Ic) is 8A
• Power dissipation (Pd) is 60W
• Collector to emitter saturation voltage of 2V at 3A collector current
• DC current gain (hFE) of 750 at 3A collector current
• Operating junction temperature range from 150°C

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

BDX53C datasheet
pdf, 172 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BDX53C
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов