BFG21W,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 18 ГГц, 600 мВт, 500 мА, 40 hFE

PartNumber: BFG21W,115
Ном. номер: 8030657217
Производитель: NXP Semiconductor
BFG21W,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN ...
Доступно на заказ 4157 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
69 × = 69
от 25 шт. — 61 руб.
от 100 шт. — 46 руб.

Описание

The BFG21W, 115 is an NPN Double Polysilicon Bipolar Power Transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package. This UHF power transistor is suitable for linear and non-linear operations.

• High power gain
• High efficiency

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 1758043

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
4.5В
Частота Перехода ft
18ГГц
Рассеиваемая Мощность
600мВт
DC Ток Коллектора
500мА
DC Усиление Тока hFE
40hFE
Корпус РЧ Транзистора
SOT-343R
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet BFG21W,115