BFG67/X,215, BFG67/X NPN 8GHz wideband

PartNumber: BFG67/X,215
Ном. номер: 8107178887
Производитель: NXP Semiconductor
BFG67/X,215, BFG67/X NPN 8GHz wideband
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
37 × = 370
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

RF Bipolar Transistors, NXP

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
NXP BFG67/X,215 NPN RF Bipolar Transistor, 0.05 A, 10 V, 4-pin SC-61B

Технические параметры

конфигурация
Single Dual Emitter
размеры
1 x 3 x 1.4mm
высота
1mm
длина
3mm
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Collector Emitter Voltage
10 V
Maximum DC Collector Current
0.05 A
Maximum Emitter Base Voltage
2.5 V
Maximum Operating Frequency
8000 MHz
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.38 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SC-61B
Pin Count
4
ширина
1.4mm
Minimum DC Current Gain
60
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

BFG67/X NPN 8 GHz wideband transistors Data Sheet