BFN26E6327HTSA1, Биполярный транзистор, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 руб.

от 5 шт. — 2.30 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 руб.

Номенклатурный номер: 9510060003

Артикул: BFN26E6327HTSA1

Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS

Pd - рассеивание мощности	360 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.9 mm
Другие названия товара №	26 BFN BFN26E6327XT E6327 SP000014785
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	500 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	200 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	70 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BFN26
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Вес, г	0.05