Добавить к сравнению Сравнить ()

BFP740FESDH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.2 В, 47 ГГц, 160 мВт, 45 мА, 160 hFE

PartNumber: BFP740FESDH6327XTSA1
Ном. номер: 8016012334
Производитель: Infineon Technologies
BFP740FESDH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.2 В, 47 ГГц, 160 мВт, 45 мА, 160 hFE
Доступно на заказ 2571 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
58 × = 58
от 25 шт. — 52 руб.
от 100 шт. — 46 руб.

Описание

The BFP 740FESD H6327 is a NPN very low-noise wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. The device is especially suited for mobile applications in which low power consumption is a key requirement. The typical transition frequency is approximately 47GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 12GHz in amplifier applications. The transistor is fitted with internal protection circuits, which enhance the robustness against electrostatic discharge (ESD) and high levels of RF input power. The device is housed in a thin small flat plastic package with visible leads.

• 2kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
4.2В
Рассеиваемая Мощность
160мВт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
45мА
Корпус РЧ Транзистора
TSFP
DC Усиление Тока hFE
160hFE
Частота Перехода ft
47ГГц

Дополнительная информация

Datasheet BFP740FESDH6327XTSA1