BFP196W, Transistor, NPN, RF 7.5GH

PartNumber: BFP196W
Ном. номер: 8013181248
Производитель: Infineon Technologies
BFP196W, Transistor, NPN, RF 7.5GH
Доступно на заказ 160 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
23 × = 230
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
Transistor, NPN, RF 7.5GHz, BFP196W

Технические параметры

конфигурация
Single Dual Emitter
размеры
0.9 x 2 x 1.25mm
высота
0.9mm
длина
2mm
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Maximum DC Collector Current
0.15 A
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Maximum Operating Frequency
7500 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.7 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-343
Pin Count
4
ширина
1.25mm
Minimum DC Current Gain
70
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

BFP196W NPN Silicon RF Transistor Data Sheet