BFP650, Transistor, NPN, RF, BFP6

PartNumber: BFP650
Ном. номер: 8107287467
Производитель: Infineon Technologies
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
89 × = 890
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 77 руб.
от 50 шт. — 64 руб.

Описание

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
Transistor, NPN, RF, BFP650

Технические параметры

конфигурация
Single Dual Emitter
размеры
0.9 x 2 x 1.25mm
высота
0.9mm
длина
2mm
Maximum Collector Base Voltage
13 V
Maximum Collector Emitter Voltage
4 V
Maximum DC Collector Current
0.15 A
Maximum Emitter Base Voltage
1.2 V
Maximum Operating Frequency
37000 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.5 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-343
Pin Count
4
ширина
1.25mm
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

BFP650 NPN Silicon Germanium RF Transistor ...