BFR193FH6327XTSA1, ВЧ транзистор NPN 12В 8ГГц [PG-TSFP-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 руб.
от 100 шт. —
8 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 руб.
Описание
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
Технические параметры
Структура | npn | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 20 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.08 | |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 70…140 | |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 8000 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.58 | |
Корпус | TSFP-3 | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Стандарты Автомобильной Промышленности | aec-q101 | |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 12В | |
Рассеиваемая Мощность | 580мВт | |
Полярность Транзистора | npn | |
DC Ток Коллектора | 80мА | |
Корпус РЧ Транзистора | TSFP | |
DC Усиление Тока hFE | 70hFE | |
Частота Перехода ft | 8ГГц | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet BFR193F
pdf, 536 КБ
Datasheet BFR193FH6327XTSA1
pdf, 530 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов