BFR193WH6327, Low Noise RF Transistor N

PartNumber: BFR193WH6327
Ном. номер: 8004359279
Производитель: Infineon Technologies
BFR193WH6327, Low Noise RF Transistor N
Доступно на заказ более 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
17 × = 1 700
Количество товаров должно быть кратно 100 шт.

Описание

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Полупроводники / Дискретные компоненты / Биполярные транзисторы /
Infineon BFR193WH6327 NPN RF Bipolar Transistor, 0.08 A, 12 V, 3-Pin SOT-323

Технические параметры

Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Максимальное напряжение коллектор-база
20 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 V
Максимальный пост. ток коллектора
0.08 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 V
Максимальная рабочая частота
8 ГГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
580 мВт
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-323
Число контактов
3
Ширина
1.25mm
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Тип транзистора
NPN
Высота
0.8mm
Длина
2mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BFR193W Low Noise Silicon Bipolar RF ...