BFS483H6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, Двойной NPN, 12 В, 8 ГГц, 450 мВт, 65 мА, 70 hFE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 28 руб.
Описание
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:8GHz; Power Dissipation Pd:450mW; DC Collector Current:65mA; DC Current Gain hFE:70hFE;
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3 - 168 часов |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 12В |
| Рассеиваемая Мощность | 450мВт |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| DC Ток Коллектора | 65мА |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-363 |
| DC Усиление Тока hFE | 70hFE |
| Частота Перехода ft | 8ГГц |
| Вес, г | 0.004 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 554 КБ
Datasheet BFS483H6327XTSA1
pdf, 560 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 252 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 477 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
