BSC007N04LS6ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 100 А, 620 мкОм, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
840 руб.
от 100 шт. —
629 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 2 790 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
BSC007N04LS6, SP001629650
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 620мкОм |
| Power Dissipation | 188Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 6 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Рассеиваемая Мощность | 188Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 620мкОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Другие названия товара № | SP001629650 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Maximum Continuous Drain Current | 381 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TDSON |
| Pin Count | 8 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 20V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7mOhm @ 50A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
