BSC010N04LS6ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 100 А, 890 мкОм, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
680 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
610 руб.
от 100 шт. —
474 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 720 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, 175DEG C, 150W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00089ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 890мкОм |
Power Dissipation | 150Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS 6 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 100А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 890мкОм |
Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 100 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 3000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Supplier Package | TDSON EP |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 67 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 67@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4600@20V |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet BSC010N04LS6ATMA1
pdf, 1577 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов