BSC010N04LS6ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 100 А, 890 мкОм, TDSON, Surface Mount

Фото 1/2 BSC010N04LS6ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 100 А, 890 мкОм, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
680 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.610 руб.
от 100 шт.474 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 720 руб.
Номенклатурный номер: 8001695969
Артикул: BSC010N04LS6ATMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, 175DEG C, 150W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00089ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 890мкОм
Power Dissipation 150Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции OptiMOS 6
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 100А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.3В
Рассеиваемая Мощность 150Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 890мкОм
Стиль Корпуса Транзистора TDSON
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current - (A) 100
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 1@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 40
Maximum Gate Source Voltage - (V) 20
Maximum Power Dissipation - (mW) 3000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tape and Reel
Pin Count 8
Supplier Package TDSON EP
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 67
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 67@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 4600@20V
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet BSC010N04LS6ATMA1
pdf, 1577 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов