BSC010N04LSTATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 100 А, 850 мкОм, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
830 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
740 руб.
от 100 шт. —
585 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 320 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
BSC010N04LST, SP001657068
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 850мкОм |
Power Dissipation | 167Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 100А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 167Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 850мкОм |
Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet BSC010N04LSTATMA1
pdf, 1431 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов