BSC019N06NSATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 100 А, 0.0017 Ом, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
690 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
590 руб.
от 100 шт. —
449 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 760 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
BSC019N06NS, SP001407774
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0017Ом |
Power Dissipation | 136Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 100А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0017Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
Fall Time: | 8 ns |
Forward Transconductance - Min: | 120 S |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TDSON-8 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | BSC019N06NS SP001407774 |
Pd - Power Dissipation: | 136 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 77 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.95 mOhms |
Rise Time: | 7 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
Maximum Continuous Drain Current | 192 A |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TDSON-8 FL |
Pin Count | 8 |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1319 КБ
Datasheet BSC019N06NSATMA1
pdf, 1600 КБ
Datasheet BSC019N06NSATMA1
pdf, 1263 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов