BSC0302LSATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 120 В, 99 А, 0.0065 Ом, PG-TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
590 руб.
от 100 шт. —
459 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 640 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETsInfineon Technologies OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs are ideal for USB-PD and fast-charger designs, supporting short lead times and fast-quote response times. The logic-level MOSFETs in PQFN 3.3mm x 3.3mm and in SuperSO8 packages have been optimized for synchronous rectification in charger and adapter 25V to 150V SMPS applications. The logic-level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th) ) allowing low- and medium-voltage MOSFETs to be driven from 4.5V or directly from microcontrollers leading to a lower part count in the application.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0065Ом |
Power Dissipation | 156Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
Непрерывный Ток Стока | 99А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0065Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PG-TDSON |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
Fall Time: | 13 ns |
Forward Transconductance - Min: | 60 S |
Id - Continuous Drain Current: | 99 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TDSON-8 |
Part # Aliases: | BSC0302LS SP004486450 |
Pd - Power Dissipation: | 156 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 79 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
Rise Time: | 9 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1398 КБ
Datasheet BSC0302LSATMA1
pdf, 1338 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов