BSC042NE7NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 75 В, 0.0037 Ом, 10 В, 3.1 В

PartNumber: BSC042NE7NS3GATMA1
Ном. номер: 8011756535
Производитель: Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 1344 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
240 × = 240
от 25 шт. — 193 руб.
от 100 шт. — 146 руб.

Описание

The BSC042NE7NS3 G is a N-channel Power MOSFET with OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest ON-state resistances and superior switching performance.

• Best switching performance
• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• MSL1 rated
• Environmentally friendly
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Ideal for high frequency switching and DC-to-DC converters
• Normal level
• Superior thermal resistance
• 100% avalanche tested
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2432706

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
100А
Напряжение Истока-стока Vds
75В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0037Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3.1В
Рассеиваемая Мощность
125Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TDSON
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet BSC042NE7NS3GATMA1