BSC109N10NS3G, MOSFET N-Channel 100V 63A

PartNumber: BSC109N10NS3G
Ном. номер: 8027310735
Производитель: Infineon Technologies
BSC109N10NS3G, MOSFET N-Channel 100V 63A
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
83 × = 830
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 63 руб.
от 250 шт. — 47.52 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 100V 63A OptiMOS TDSON

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
6.1 x 5.35 x 1.1мм
Максимальный непрерывный ток стока
63 A
Максимальное сопротивление сток-исток
10.9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
78 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TDSON
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
26 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1900 pF @ 50 V
Типичное время задержки выключения
19 ns
Типичное время задержки включения
12 ns
Ширина
5.35mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
57с
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.1mm
Длина
6.1mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Efficient Semiconductor Solutions for Motor ...
BSC109N10NS3G OptiMOS 3 Power-Transistor