BSC150N03LD G, MOSFET Dual N-Ch 30V 8A O

PartNumber: BSC150N03LD G
Ном. номер: 8004205373
Производитель: Infineon Technologies
BSC150N03LD G, MOSFET Dual N-Ch 30V 8A O
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
84 × = 420
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET Dual N-Ch 30V 8A OptiMOS3 TDSON8

Технические параметры

Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
2.7 нс
Материал транзистора
Si
Количество элементов на ИС
2
Ширина
5.9mm
Число контактов
8
Категория
DC/DC преобразователь, SMPS
Максимальное сопротивление сток-исток
0.022 Ω
Конфигурация
Двойной затвор, двойной источник, четырехканальный дренаж
Тип канала
N
Номер канала
Поднятие
Размеры
5.15 x 5.9 x 1
Длина
5.15mm
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Тип корпуса
TDSON
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1mm
Максимальное рассеяние мощности
26 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Типичное время задержки выключения
12 нс
Типичная входная емкость при Vds
850 пФ при 15 В
Типичный заряд затвора при Vgs
10 нКл при 0 → 10 В

Дополнительная информация

MOSFET Dual N-ch 30V 20A OptiMOS3 TDSON8