BSC520N15NS3 G, MOSFET N-Channel 150V 21A

PartNumber: BSC520N15NS3 G
Ном. номер: 8002817409
Производитель: Infineon Technologies
BSC520N15NS3 G, MOSFET N-Channel 150V 21A
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
140 × = 280
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 50 шт. — 69 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 150V 21A TDSON8EP

Технические параметры

Максимальное рассеяние мощности
57 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Типичное время задержки выключения
10 ns
Типичная входная емкость при Vds
670 пФ при 75 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8.7 нКл при 0 → 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
7 ns
Материал транзистора
Si
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.1mm
Число контактов
8
Категория
DC/DC преобразователь
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, одиночный затвор, тройной источник
Тип канала
N
Номер канала
Поднятие
Размеры
5.35 x 6.1 x 1.1
Длина
5.35mm
Максимальное напряжение сток-исток
150 V
Тип корпуса
TDSON
Максимальный непрерывный ток стока
21 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1mm
Максимальное сопротивление сток-исток
0.052 Ом

Дополнительная информация

MOSFET N-ch 150V 21A OptiMOS3 TDSON8