BSC750N10ND G, MOSFET Dual N-Ch 100V 3.2

PartNumber: BSC750N10ND G
Ном. номер: 8033194941
Производитель: Infineon Technologies
BSC750N10ND G, MOSFET Dual N-Ch 100V 3.2
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
140 × = 280
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.

Описание

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineon's OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET Dual N-Ch 100V 3.2A OptiMOS2 SON8

Технические параметры

Максимальное рассеяние мощности
26 W
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1mm
Максимальное сопротивление сток-исток
0.075 Ω
Максимальный непрерывный ток стока
13 А
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичная входная емкость при Vds
540 пФ при 50 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8 нКл при 0 → 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
9 ns
Материал транзистора
Si
Количество элементов на ИС
2
Ширина
5.9mm
Число контактов
8
Категория
Переключение при высокой частоте, синхронное выпрямление
Конфигурация
Двойной затвор, двойной источник, четырехканальный дренаж
Тип канала
N
Номер канала
Поднятие
Размеры
5.15 x 5.9 x 1
Длина
5.15mm
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Тип корпуса
TDSON

Дополнительная информация

MOSFET Dual Nch 100V 13A OptiMOS2 TDSON8