BSM25GD120DN2BOSA1, IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

29 240 руб.

от 5 шт. — 27 160 руб.

от 10 шт. — 25 140 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 29 240 руб.

Номенклатурный номер: 8406963168

Артикул: BSM25GD120DN2BOSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	3В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	35А
DC Ток Коллектора	35А
Power Dissipation	200Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Количество Выводов	17вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ	Three Phase Full Bridge
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	200Вт
Стиль Корпуса Транзистора	EconoPACK
Вес, г	180